并取得了令人满意的星携结果
。三星电子先进制程良率非常低 ，手美善纳以提高其半导体芯片在生产过程中的米良
良率，据报道 ，率希良率不超过20% ，望赶量产进度陷入瓶颈 。超台帮助三星晶圆厂进行前端（front-end）工艺和芯片性能改进 。积电
三星目前在4纳米和5纳米工艺节点上出现了与产量有关的星携问题 ，ESD是手美善纳造成半导体芯片缺陷的主要原因之一
，
报道中称 ，米良
援引韩媒Naver报道
，率希这家美国公司提供芯片鉴定评估和ESD（静电放电）预防技术 。望赶在4纳米和3纳米工艺上情况变得更加糟糕 。超台以便于在3纳米工艺上赶超台积电 。积电三星已经与美国的星携SiliconFrontlineTechnology公司合作 ，因此希望通过和SiliconFrontlineTechnology公司合作
，自5纳米制程开始一直存在良率问题
，
IT之家了解到 ，据传三星3纳米解决方案制程自量产以来，该公司不希望这个问题再次出现在3纳米工艺上 。该公司现在将在芯片验证过程中使用该公司的技术
。三星在芯片设计和生产过程中已经与SiliconFrontline公司合作了很长时间 ，是由制造过程中设备和金属之间的摩擦造成的
。
